二手 SUNIC NPM-1250PCA #293639063 待售
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單擊可縮放
ID: 293639063
優質的: 2016
Sputtering system
100 x 100 mm
Power rack
Loading and unloading chamber:
Substrate size: 120 x 120 mm
SUS-304 Chamber type: Square, vertical
IMS Linear transfer kit
VAT Gate valve: Rectangular type
Low vacuum pump: Rotary pump
INFICON Chamber gauge: Pirani gauge
Sputter chamber:
Substrate size: 120 x 120 mm
SUS-304 Chamber type: Square, vertical
Substrate heater: Inner and outer heater
Substrate rotation speed : 5~10 RPM
GENUIS Pressure control valve: Throttle valve, ISO 200
MKS Pressure control gauge: CDG gauge, 0.1 Torr
Process gases control, MFC: O2: 5 sccum, N2: 50 sccum
Low vacuum pump: Rotary pump
GENESIS Cryo / ISO 200 High vacuum
MGI ISO 200 High vacuum valve
INFICON Pumping line gauge: Pirani gauge
INFICON Chamber gauge: Full range gauge
Plasma source unit:
IMS gun, 4"~6"
RFPP RF Power: 13.56 MHz, 500W
NP Power supply: 13.56 MHz, matching box
AC Magnetron DC supply: 3kQ
TS: 70 mm (Non variable)
Offset: 100 mm (Non variable)
Heating block: Φ220 / Substrate plate 120 x 120 mm
Substrate loading and unloading: Pin up / down
2006 vintage.
SUNIC NPM-1250PCA是為各種材料的高性能薄膜沈積而設計的濺射設備。該系統在單室中利用高功率脈沖直流磁控管濺射技術，使兩個獨立的磁源（陰極）能夠對廣泛的基板進行雙面塗層。濺射控制單元允許多達十二個不同的工藝步驟和多達十二個可編程的電源設置，使機器具有多功能性和可靠性。當機器人臂提供精確的沈積速率和均勻的表面覆蓋時，濺射速率可以在很大的動態範圍內進行調整。NPM-1250PCA工具配備了PLC觸摸屏控制器,允許操作員設置和修改諸如濺射功率、濺射速率和壓力等參數,並存儲多達十個用戶定義的配置文件以實現準確操作。該資產的設計允許同時處理多達八種實際尺寸的基材，包括矩形、圓形和方形。該型號的底壓為10-6 mbar，使用速效隔膜真空泵最多可泵送10-2 mbar。工作室容積為142升，尺寸為800 x 800 x 500毫米。可用的工藝氣體是氙氣、氮氣和氧氣，可以通過自動氣體流量計進行精確沈積控制。該設備能夠沈積各種材料，包括金屬、陶瓷、半導體和氧化物，具有優異的光學和電氣性能。與熱蒸發、電子束和斜角蒸發、濺射沈積和化學氣相沈積（CVD）等多種沈積技術兼容。該系統還可用於PECVD和反應性離子蝕刻，以便為先進的薄膜處理提供完整的解決方案。SUNIC先進的冷卻裝置確保沈積材料的穩定和可重復的溫度控制，從而為性能關鍵的應用提供一致和可靠的薄膜特性。總體而言，SUNIC NPM-1250PCA濺射機為各種薄膜沈積和蝕刻應用提供了理想的平臺。其獨特的特點和可靠性使其成為打造高品質、精密產品的合適選擇。
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