二手 SYSTEM CONTROL TECHNOLOGY / SCT VS-18C #9120860 待售
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ID: 9120860
晶圓大小: 2"
Sputtering system, 2"
Process gases: Ar
Inlet pressure: 10 psig
Flow rate: 100sccm
Compressed air:
Inlet pressure: 70-120 psig,
Flow rate: minimal amounts, intermittent
Gaseous nitrogen
Inlet pressure: 10 psig
Flow rate: 10cfm
Cooling water:
Inlet pressure: 40 psi (minimum differential)
Fitting: 3/4”NPT Female
Flow rate: 6 GPM
Temp: 25°C (Max 40°C)
Resistively: 2500 ohms/cm or higher at 25 deg C
Solid content: <250ppm
pH value: between 7 and 9
Total chlorine: <20ppm
Total nitrate: <10ppm
Total sulfate: <100ppm
Total hardness expressed as calcium Carbonate equivalent: <250ppm
Total dissolved solids: ≤ 640,000 / Specific resistivity (ohms/cm)
Exhaust:
Roughing pump
Pressure: <ATM pressure
Fitting: ISO-63 for Leybold dry pump
Flow rate: 150cfm for Leybold dry pump
380 V, 3 phase, 50 Hz, > 30 amp, 5 wires including neutral and low “Z” ground.
Equipment CONTROL TECHNOLOGY/SCT VS-18C是一種設計用於各種真空和物理氣相沈積應用的高功率陰極濺射系統。這種濺射裝置使用直流電（DC）磁控管源來產生附著在基材上的汽化塗層材料。本機由陰極、陽極和極性開關組成的密封密封沈積室組成。它還包括一個控制器單元、高壓腔室端口和一個25毫米加熱基板支架，能夠達到1000攝氏度的溫度。SCT VS-18C附帶一個可選的控制器單元,可提供最多16個單獨配方的完整工具控制、監控和存儲。該資產的額定真空範圍為100 mTorr至約10 Torr，極限真空壓力為0.5 Torr。作為直流功率的函數，沈積速率可以在0.01到10 nm/s之間調節，非常適合制造表面和微觀結構均勻的薄膜。其它可調參數範圍從源到基板距離、目標材料、基板持有者熱量和轉速等等。Model CONTROL TECHNOLOGY VS-18C提供了五種不同形狀的目標的選擇,其大小從2「到10」不等,允許用戶為其應用程序選擇最佳目標。此外，這種濺射設備還配有一個可選的高壓腔室端口，能夠在2 bar的水平上沈積材料。基板支架和升降機配有各種傳感器和自動控制裝置，以確保系統的安全運行。VS-18C單元設計用於各種研發應用，包括金屬合金沈積、薄膜電阻器、X射線成像和其他納米級器件制造。它在需要復雜的層沈積或高完整性密封的航空航天和工業部門也有廣泛的應用。MACHINE CONTROL TECHNOLOGY/SCT VS-18C堅固耐用,能夠連續開放式操作,支持多種高性能薄膜材料。SCT VS-18C具有先進的性能，是尋求精確度和高沈積速率的一個很好的解決方案。
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