二手 ULVAC Entron W 200T6 #9003925 待售
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已售出
ID: 9003925
晶圓大小: 8"
優質的: 2005
PVD Sputtering system, 8"
Chemical dry pre-clean chamber
Anneal chamber for chemical dry pre-clean chamber
Anneal chamber for post anneal
PVD-Ni (Ring-Ni) chamber
PVD-TiN chambers
PVD Co chambers
Includes:
Open cassette buffer station
(2) Spare shields chamber
Host communications (SECS/GEM)
S2 Safety
TiN Target
Co Target
Ni Target and backing plate
Dry pumps
Gas scrubber
Platform: NCH6000
Process specifications: CDT + Co, Ni silicide process
Front interface: Buffer station (4) ports open cassette type
Gas scrubber
Substrate size: 200 mm
Signal tower
Standard chambers layout and chamber
Platform: ENTRON NCH6000 Tandem core
With intermediate chamber isolation valve
Compatible with differential pressure transfer (FX has Ar line with needle valve)
(2) KEYTRAN4Z Vacuum robots
Double hand type with wafer pickup (A12O3)
Main pumps:
(2) SHIMADZU TMP403LM
(2) CRYO T6E RS10
(4) BOC EDWARDS Fore pumps
C30ZR Cryo compressor
(2) G-TRAN BMR2/M-13 Vacuum gauges
(2) G-TRAN BPR2/WPB-010-034 Pirani vacuum gauges
(2) Gas feed system: Gas piping for ventings (With filter)
Control system:
Operation unit: ULV100U-400 Model 17 liquid crystal display
Control system: MS-IVA
EDWARDS Dry pumps
Sputter source
Power supplies
Shielding
Targets
Manuals
2005 vintage.
ULVAC Entron W 200T6是一種高度先進的濺射設備，設計用於將薄膜先進沈積到基板上。該系統具有獨特的功能，以滿足廣泛應用的需求，如薄膜光學、半導體器件和其他微電子器件。ULVAC ENTRON W-200T6是一個簡單但功能強大的濺射裝置。它配備了一個容量為200 mm的矩形基板級，使得基板在濺射塗層過程中可以均勻運動，使其適合加工大型基板。EntronW 200T6采用了一種新型的雙槍濺射技術，使濺射材料具有更高的沈積速率和更好的均勻性。此外，通過在塗層過程中使用外部安裝的磁控管濺射源，進一步保護基板免受有害顆粒和等離子體沈積。機器的數字控制單元還提供了幾個用戶友好的選項和功能。它包含一個多顯示器顯示器，使操作員能夠密切註意塗層工藝。用戶界面還提供目標組成、濺射壓力、氣流等不同的沈積參數。它還為用戶提供了可編程的時間周期，使塗層工藝更容易、更高效。ENTRON W-200T6還采用先進的真空工具為沈積過程提供必要的環境。這種精密的真空資產包括旋轉葉片運行超過每秒35升的渦輪泵，以及泵送速度高達每秒15升的渦輪分子泵。這種泵的組合確保了基板的快速疏散過程以及對腔室內環境壓力的精確控制。最後,ULVAC Entron W 200T6還提供了一系列附加附件。這些附件包括晶片裝載機、排氣口、傳感器和其他組件陣列。這些配件也使得該型號適合多種應用，從光學器件的薄膜、微電子元件，以及先進的薄膜電池電極。
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