二手 VARIAN / TEL / TOKYO ELECTRON MB2-730 HT #77414 待售
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已售出
ID: 77414
晶圓大小: 8"
CVD System, 3 Chamber WSi Process, 8"
Specifications:
Main Frame MBB730 (3 chambers)
- Process WSIX all 3 chambers
- Maintenance by : TEL
- secs/gem: yes
- CE Marked: yes
- Software Version UI V4.8HL
- In elect rack: 3x Ebara TMP controller (306W)
- labeled for PM RH TMP, PM LH TMP, T-M TMP
- CVD Utility controller Maintenance Table UI-Rack
- Additional breaker box MBB-730
- Main Power Distribution Power Rack
- (3) Edwards D150 dual GRC, Edwards PN A55222110,
208V 3 Phase, weight 380 kg
- (3) Chiller TEL
- Gases: Wf6-6sccm
ClF3- 500 sccm
Ar-200sccm
DCS- 500sccm
Ar- 200 sccm
Ar- 100sccm
Includes (2) each Boxes with cable/Process kit/manuals
Deinstalled 2007.
VARIAN/TEL/TOKYO ELECTRON MB2-730 HT濺射設備是一種多功能、高性能的薄膜沈積系統,旨在為真空薄膜應用提供可靠、經濟高效的解決方案。此設備提供多種工藝功能,非常適合各種應用,包括光學、半導體和薄膜電光制造。TEL MB2-730 HT具有落地式六腔磁控管濺射室,最大基板尺寸為150 mm x 150 mm。腔室配有375 kHz射頻發電機和四條獨立控制、分別泵送的註氣管線,允許在短處理時間內進行高質量的薄膜沈積。VARIAN MB2-730 HT在其三個目標持有者中最多可容納三種目標材料,並且可以處理單個晶片或多個晶片,一次最多可處理六個晶片。TOKYO ELECTRON MB2-730 HT還配備了多項先進的保護和工藝優化功能,如改善電介質附著力的離子束輔助沈積(IBAD),用於工藝細化的聚焦離子束蝕刻,以及用於精確一致的薄膜沈積的閉環溫度和壓力控制。該機器還具有最先進的診斷和控制功能,例如自動端點檢測、過程監控和高級計量能力,使用戶能夠準確監控和控制其薄膜過程,從而在較長時間內實現更高質量的薄膜沈積。MB2-730 HT能夠產生各種沈積剖面,溫度範圍可達750°C,工作壓力可達10Pa,沈積速率可達10nm/min。該工具專為單波長操作而設計,使得F4對於過程參數的微調是可校正的,並且與一系列的計量工具兼容,包括光譜橢圓偏振、拉曼光譜和X射線反射率。總之,VARIAN/TEL/TOKYO ELECTRON MB2-730 HT濺射資產是一種用途廣泛、成本效益高的薄膜沈積模型,針對光學、半導體和薄膜電光制造等多種工藝進行了優化。它具有最先進的診斷和控制功能,並具有高級工藝優化功能,如IBAD、蝕刻和閉環溫度和壓力控制。TEL MB2-730 HT能夠產生各種沈積剖面,並且與各種計量工具兼容,使其成為尋求可靠和高效濺射設備的人的理想選擇。
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