二手 VARIAN / TEL / TOKYO ELECTRON MB2-730 #124470 待售
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已售出
ID: 124470
晶圓大小: 8"
優質的: 1998
CVD system, 8"
System Configuration
Process: W-Si
(Qty 3) Chambers
Main Body
Additional Breaker Box
Process Kit
Footplate
Accessory Box
Mainframe Indexer
(Qty 2) Controller PC
Cable
Chiller
UPS
Power rack
Power distribution
Cable Cabinet
Chiller Hose
Missing Part: Motor Server Driver
Voltage: 208+/-10 VAC60HZ
Max Power: 70KVA
Water Pressure: 5kgf/cm2 (Max)
Water Flow: 0 L/min
Water Temp: 15~25℃
General EXH VOL: 3.8m3/min
Air≧6.0 kgf/cm2, 320 L/min
Earth Class 3 GND (ISOEATED)
Weight: 2800kg
Room Temp.: 20~25℃
Humidity: 40~50%
Gas configuration
2 (Oxidation): 1.5+/-0.3 kgf/cm2, 6L/min
N2 (Reduction Gas): 2.5+/-0.3 kgf/cm2, 125L/min
Ar: 1.5+/-0.3 kgf/cm2, 1500SCCM
WF6: -200+/-50mmHg, 1500SCCM
CIF3: -200+/-50mmHg, 1500SCCM
DCS: -200+/-50mmHg, 1500SCCM
1998 vintage.
VARIAN/TEL/TOKYO ELECTRON MB2-730濺射設備是一種通用的薄膜沈積工具，用於形成具有復雜化學成分的薄膜，可用於多種應用。TEL MB2-730利用磁控管濺射，利用磁約束等離子體將材料濺射到基板上。這種濺射過程具有很高的可控性，使得系統能夠以精確的成分控制來制造薄膜沈積，從簡單到復雜的材料。通過控制每個腔室中目標的數量和類型，可以大量的物質被濺射沈積。VARIAN MB2-730由兩個1,000毫米x 900毫米腔室組成。第一室，濺射室，使用直流（DC）磁控管濺射利用三個圓柱形磁控管目標。第二室，IOX/CVD室，使用射頻（RF）磁控管濺射沈積氧化物和氮化物薄膜，也有四個目標用於化學氣相沈積（CVD）。此外，這個單元有一個可移動的加熱/冷卻板，允許沈積時對基板進行溫度控制。該板還允許進一步控制沈積，使機器能夠進行原位熱處理和快速退火。MB2-730工具還具有控制沈積過程的全自動資產。TOKYO ELECTRON MB2-730具有可編程過程控制器（PPC）和20種可用配方,可實現準確、可重復的結果。此外,該模型還配備了基於PC的圖形用戶界面（GUI）,可輕松直觀地控制沈積參數。總之，VARIAN/TEL/TOKYO ELECTRON MB2-730濺射設備是制造復雜化學成分薄膜的絕佳工具。其多種多樣的沈積工藝、溫度控制能力和自動化控制系統使其非常適合各種薄膜沈積應用。
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