二手 ENGIS EJW-400IFN #9258273 待售
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單擊可縮放
ID: 9258273
晶圓大小: 4"
優質的: 2014
CMP System, 4"
SiC and GaN
Spare parts:
(3) CMP Pad hard materials: Ø380 mm
(9) CMP Final pads 545N-380: Ø380 mm
(5) CMP Standard pads 545N-380: Ø380 mm
(5) CMP Pads 530N2700-380: Ø380 mm
(2) KRYTOX DuPont performance lubricants (1 kg)
(2) CMP Conditioners
TYGON Flexible tubes for slurry of several diameters
DMP Pad (Used with diamond slurry)
Slurry metallic dispensing tube: IDØ 1 mm
Slurry metallic dispensing tube: IDØ 2 mm
FUJIMI Slurry 0901 Part A
FUJIMI Slurry 0902 Part A
FUJIMI Slurry 0901 Part B
FUJIMI Slurry 0902 Part B
ENGIS Colloidal silica polishing compound (0.05 um) 1 Gallon
SINMAT TSW-600 Super abrasives 4000 ml
CMP Metallic table
CMP Weight set
CMP Wafer membranes and adapter, 2"
Transformers and manuals included
Air pressure: 0.4 MPa
Power supply: 200 V, 3-Phase, 20 A
2014 vintage.
ENGIS EJW-400IFN是一種先進的晶片研磨、研磨和拋光設備，設計用於制造半導體晶片和晶片基板。該系統利用了幾個協同工作以產生優異效果的組件,包括晶片卡盤、研磨介質、研磨復合材料和拋光墊。晶片卡盤是該單元的底座，它在研磨和拋光過程中牢固地將晶片固定到位。它能夠高速旋轉晶片，並在頂部和底部表面施加可控、可調的壓力。由陶瓷或磨料顆粒組成的研磨介質用於將晶圓兩側的材料磨掉，直到達到所需的表面平整度。研磨過程中對晶片施加研磨壓力，使機器達到極緊的表面粗糙度和平坦度公差。一旦達到所需的表面粗糙度，就使用研磨化合物。這種化合物含有磨料顆粒，進一步細化晶圓的表面光潔度。在研磨過程中,介質連接到機械臂上,該機械臂執行必要的運動以確保完全覆蓋晶圓的兩個表面。研磨過程完成後，機械臂取出研磨化合物，晶圓準備進行拋光。拋光工藝利用拋光墊進一步細化晶片的表面光潔度。拋光墊是軟泡沫或尼龍拋光盤，可以進一步細化和光滑晶片表面。拋光墊安裝在用於研磨的同一個機械臂上，它們高速旋轉，輕輕地拋光晶圓表面。機械臂隨後銷毀拋光墊，無需處理和清理。EJW-400IFN晶片研磨、研磨和拋光工具為半導體晶片和晶片基板的表面制備提供了無與倫比的精度和精確度。可靠、安全，能夠一次又一次地產生可靠的結果。
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