二手 DNS / DAINIPPON SU-3200 #293828146 待售
網址複製成功！
單擊可縮放
ID: 293828146
晶圓大小: 3"
優質的: 2014
Wafer cleaning system, 3"
(8) Chambers
(4) Load port
Chemical: DHF, NH4OH ,H2O2 ,IPA ,03
Overhead Transport System (OHT)
SINFONIA TECHNOLOGY SELOP12F25-S7DB033F
Double robot arms
Process chamber unit:
Tower-1 : MPC-2,3
Tower-2 : MPC-4,5,6
Tower-3 : MPC-7,8,9
Chemical Cabinet:
SC-1
DHF
O3
CO2
CDA N2
DIW
PCW
FOUP Load port:
(4) Load port
FOUP Type: No N2 Purge
SINFONIA TECH NOLOGY
SELOP12F25-S7DB033F
30D65K-C212 Servo pack
Double robot arms
Material: Ceramic
KAWASAKI
3NT 420B-B029
NT4203452
XU-ACT153L-H01
YASUKAWA ELECTRIC CORP
30D65K-C212 Servo pack
Material: Ceramic
KAWASAKI
3SD940S-A006
SD9400150
E FLOW
e Flow SD90B-R11-F-VB
MPC chamber: 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9
Scan nozzle - 1:
Nozzle - 1: DHF (LFC), DIW(LFC)
Suck back drain
Nozzle - 2: O3 (MN), CO2W(MN)
Suck back drain
Nozzle - 3: IPA
Suck back drain
1 Upper nozzle N2 Purge
1 Lower nozzle N2 Purge
1 and 2 Nozzle rinse
Scan nozzle - 2:
Nozzle - 1: SC-1 (LFC), CO2W(MN)
Suck back drain
Nano spray 1: SC-1 (LFC), CO2W(MN)
Nano spray N2
Suck back drain
2 Upper nozzle N2 Purge
2 Lower nozzle N2 Purge
Back side nozzle:
Nozzle chemical dispense: DHF, SC-1, O3 ,CO2
Suck back Drain
Dispense
Fixed nozzle:
Nozzle rinse
Chuck pin rinse
Spin base rinse
Fixed cup
Exhaust duct rinse
Shutter N2 Blow
Chamber wall rinse
Shutter drive: Air cylinder
Chemical cabinet (SC-1):
Mixing tank capacity: 45 Liter
Material: PTFE Teflon
Circulation pump: Pillar / PE-20MA
Pump damper: Pillar / A20S013 / 14722-3
Temp controller: DNS Special
Heating exchange: DNS Special
Temp range: 20 ~ 80°C
(4) Flow meter
(2) Houshing filter
Chemical cabinet (DHF):
Mixing tank capacity: 45 Liter
Material: PTFE Teflon
Circulation pump: Pillar / PE-40MA
Pump damper: A40S018 / 14610-3
(2) Houshing filter
(4) Flow meter
Temp controller: KOMATSU
Heating exchange: KOMATSU
Temp range: 20 ~ 30°C
O3 Cabinet (LIQUOZON):
ASTeX GmbH PN: 14-0038-P00AA1007
DIO3 Outlet pressure: 14 - 36 psi (1.0 ~ 2.5 bar)
O2 Inlet pressure: 65 - 110 psi (4.5 ~ 7.6 bar)
CO2 Inlet pressure: 73 - 36 psi (5.0 ~ 7.6 bar)
UPW Inlet pressure: 48 - 73 psi (3.3 ~ 5.0 bar)
CDA Inlet pressure: 75 - 119 psi (5.2 ~ 8.2 bar)
Main cooling water pressure: 29 psi (2.0 bar)
Max cool water press: 73 psi (5.0 bar)
Missing parts:
Spin base: Material, Spin motor, Revolution, Acceleration, Revolution accuracy
Chuck: Chuck drive, Material, Wafer detection
Main H/D
Spin base (MPC - 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9)
MPC board assy (MPC - 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9)
MPC flow meter switch (MPC - 2, 3, 4, 5, 6, 7, 8, 9)
CR ROBOT
INDEX ROBOT Servo drive
MPC - 2 (Chemical tray)
Power supply: Phase 3, 208V, 39kVA, 108A (Wire (S)+GND/PE, 50/60Hz
UPS Power supply: Phase 3, 208V, 20VA, 56A (Wire (S)+GND/PE, 50/60Hz
Power supply (4 - wire): 3/PE-200~230V ±10% 14A 50/60Hz
2014 vintage.
DNS/DAINIPPON SU-3200是用於清潔、蝕刻和開發基材的半導體制造工藝中最先進的濕式站。這種多用途的工具在一個平臺中結合了各種功能，提供高精度和高效率的處理晶片。憑借其先進的功能和自動化的功能，DNS SU3200是生產集成電路和其他半導體器件的關鍵工具。DAINIPPON SU 3200的核心是用於在單個單元中容納多個過程步驟的設計。這個濕式站結合了各種模塊，包括化學分配、漂洗、幹燥和自旋塗層，允許不同加工步驟之間的無縫過渡。DNS/DAINIPPON SU3200的模塊化設計使定制和靈活性能夠滿足不同半導體制造工藝的特定要求。DAINIPPON SU3200的主要特點之一是對工藝參數的精確控制。設備配備了先進的傳感器和控制器，可監控和調節溫度、壓力、流量、時序等關鍵參數。這種控制水平確保了統一和可重復的處理結果，對於實現高質量的半導體器件具有嚴格的規格至關重要。在清潔能力方面，SU3200擅長去除晶圓表面的汙染物。系統可以執行各種清潔技術，如巨型清洗、刷子清洗和化學蝕刻，這取決於工藝的要求。此外，DNS/DAINIPPON SU 3200有多個沖洗浴，流量受控，以確保徹底清除晶圓表面的清潔劑和殘留物。DNS SU-3200還支持用於陣列和設備制造的蝕刻過程。該單元可以同時處理濕蝕刻和幹蝕刻過程，在半導體基板上創建所需的圖樣提供了多功能性。對蝕刻劑濃度、溫度和曝光時間的精確控制允許在晶圓表面進行精確且均勻的蝕刻。SU 3200的另一個重要功能是能夠執行光刻膠圖樣的開發過程。機器可以將光敏材料分配到晶片表面上，旋轉塗層以達到均勻的層，並使用專門的化學物質開發圖樣。這種能力對於定義具有高分辨率和準確性的半導體器件的特性至關重要。除了處理功能外,DAINIPPON SU-3200還具有可靠性和易用性。該工具具有易於使用的界面,可用於編程和監視過程,以及用於資產維護和故障排除的診斷工具。堅固的結構和質量組件可確保長期性能和最小的停機時間,從而提高半導體制造設施的整體生產率。總之,SU-3200濕站是半導體制造過程中一種通用、高效的工具.憑借在清潔、蝕刻、開發等功能方面的先進能力，DNS SU 3200在高質量半導體器件的生產中起著至關重要的作用。其精確的控制、靈活性和可靠性使其成為現代半導體制造設施中的寶貴資產。
還沒有評論