二手 LAM RESEARCH / ONTRAK TCP 9400 SE #9402508 待售
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ID: 9402508
ICP Etcher
Platform: Alliance 4.1
(2) Chambers
Chamber body: HAA
Aligner
Chuck type: BSR Clamp
Process kit:
Bottom electrode, 6"
QUARTZ Disk
Insulator ring
Gas ring
Liner
WDO, QTZ, HTD ENDPT
Cassette type:
LVCE
RVCE
Chamber oring: Viton
Throttle: STD Pendulum valve
ATH 1600 Turbo pump
STD Foreline
Heater jacket: Silicon rubber
Slot valve assembly with STD
Oring of slot valve: Perfluoroelastomer
Endpoint type: 2CH
RF Generator type:
Top: ADVANCED ENERGY RFDS1250 CE Fast loop
Bottom: ADVANCED ENERGY RFDS 1250 HALO
RF Match TCP: Assy T-match, P/N: 853-032294-002
RF Match bottom: RF Match Assy, P/N: 853-330951-021
Manometer: 0.1T/10T MKS
UPC-8130 He UPC
Gas / He line: STD
He STD dump loop
Gas Panel:
Hook up: Side feed side drop
Side exhaust
Load lock / Cassette:
Load lock type: STD VCE
Load lock Platform: STD With HAA coating
STD Cassette
Anti-static load lock cover finish
Enhanced wafer mapping
Integrated cassette sensor
Loadlock indexer: STD type
Loadlock diffuser: STD type
Wafer slide out sensor
Transfer chamber:
MAG 7 Robot
Robot Blade: STD With coating
N2 Purge bottom vent
UPC-8310 Buffer ballast
Aligner: STD Type
Front panel:
Stainless cover
(3) Color signal light tower: Red, yellow, green
Umbilical (75 feet):
Controller to mainframe
AC Rack to controller
AC Rack to mainframe
HX Control cable
Heat exchanger hose
Pump cable
Gases:
CL2 100
BCL3 100
CF4 200
O2 1000
Ar 500
(7) STD Gas lines
(7) STD Inter gas lines
(7) Filters
Power supply: 50/60 Hz.
LAM RESEARCH/ONTRAK TCP 9400 SE是一種蝕刻器/asher，設計用於處理半導體晶圓、MEMS、MEMS元件和其他電子元件。該設備采用超高真空（UHV）技術，提供卓越的工藝精度和可重復性。它具有200毫米晶圓尺寸、126晶圓負載鎖室和100磅（45.45kg）重量容量。UHV設計是一種全自動系統,具有模塊化配置,經過優化,可生產大量組件。機器的前端包含過程模塊,其中包括等離子體源、目標腔室以及用於創建清潔和受控環境的其他組件。該裝置設計用於蝕刻、沈積和清潔操作。蝕刻過程使用高功率等離子體源，以高度精確的方式從基板上去除材料。沈積過程利用源將物料沈積到基材上。腔室系統有助於創造清潔、純凈和穩定的工藝環境，最大限度地減少顆粒汙染和與汙染有關的缺陷。TCP 940 SE的腔室機設計靈活，容許不同的製程壓力，最高可達400 °C的溫度。資產的自動化控制工具可以方便地進行定制和基於配方的自動處理。其先進的控制模型確保了準確的結果和最大的吞吐量。ONTRAK TCP 9400 SE是MEMS制造、醫療設備制造等精密應用的絕佳選擇。它具有等離子體加工的最新技術，具有可靠、可重復的性能、提高的工藝精度、低內部汙染和高產等優點。
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