二手 TEGAL 903E #115926 待售

ID: 115926
晶圓大小: 4"
Plasma etcher, in-line single wafer, 4" Can handle 3" to 6" wafers, currently configured for 4" Cassette to cassette Etches silicon dioxide, silicon nitrides, and polyamid es Microprocessor control ENI 1,000 Watt 13.56 MHz RF Generator 20 Process recipe capability Process gases controlled by Tylan MFC’s Non-friction spatula pick and place wafer transport. LEYBOLD D65 oxygen service pump (optional dry pump available) Two Tegal closed loop temperature controllers DEC Monitor and keyboard Non-friction spatula pick and place wafer transport Wafer count: 834,009 Manuals included CDA / N2 regulated to 80 +/- 5 psi N2 regulated to 15 to 30 psi Process gas's regulated to 15 +/- 5 psig O2 clean regulated to 10 +/- 5 psi 903e vacuum pump connection: KF-40 flange 903e cabinet exhaust connection: 4", 100 cfm Leak-back rate: 5.3 mTorr per minute System: 200 to 240 VAC selectable, 50 / 60 Hz RF generator: 200 to 240 VAC selectable Monitor: 115 VAC Vacuum pump: 200 to 230 VAC, 3-phase Temperature controllers: 115 VAC Demonstrable.
TEGAL 903E是用於半導體制造的最先進的蝕刻/asher系統。它旨在取代成本昂貴的ICCP系統,這種系統經常會損壞細膩的晶片,需要使用苛刻的化學物質,以便在其上蝕刻圖案。取而代之的是,TEGAL 903 E使用離子束,利用物理氣相沈積(PVD)將精確控制的圖樣蝕刻到晶圓表面。這一工藝比其他蝕刻技術更高效,導致更好的均勻性、高生產率和最低限度的昂貴化學品浪費。903E具有具有三個線性軸的靈活和高分辨率終端效應器。此端效應器負責陣列,並將離子束聚焦在晶片上,以便蝕刻所需的圖案。該系統還集成了一系列自動設置工具,以及直觀的圖形用戶界面(GUI),使操作更加輕松。903 E設計用於蝕刻多達八個四英寸方形晶片,每個晶片安裝在自己的玻璃支架上,用於精確定位。這樣可以確保僅蝕刻晶片的目標區域,並減少在較弱系統中可能出現的無法訪問的殘留量。使用者也可以自訂離子束輪廓,讓他們精確地量身定制正在蝕刻的圖案的深度和擴散。TEGAL 903E還利用先進的Argon ICP模式,在無塵環境的支持下實時監測蝕刻進度。該系統具有內置的安全功能,符合SEMATECH OCSMS-95標準和SOP-002環境法規。TEGAL 903 E是一款用途廣泛且可靠的蝕刻器/asher。它能夠精確控制模式,確保它是復雜的IC制造過程的理想選擇,而且它的用戶友好界面使所有技能級別的用戶都可以訪問它。它結合了卓越的技術和成本效益,是先進半導體研究和制造的理想選擇。
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