二手 RIBER 32 #9227851 待售
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ID: 9227851
Molecular beam epitaxy (MBE) system
GaN
Sources:
(6) Solid sources (Ga, Al, Mg, Eu, Er, Si)
Shutter control
SVTA RF 4.5 N2 Source
Shutter: N2
Auto-tuning
Water cooling
Ion removal power supply
Gas cabinet:
Up to (3) gas source controls
PFEIFFER Cube
MFC / Valve control
Alarm indication
Power supplies / Vacuum gauges:
Temperature control
Vacuum gauges
Shutter control
Cell / Substrate heater power supplies
RHEED
Cryo pump control
Ti sublimator
Substrate rotation
Load lock:
(4) Wafers, 2"
Soption pump / Mechanical pump station
Cryo pump CTI
RGA
Bake-out control
Ion pump
Gas purifier:
N2 purifier: <100 ppt
Liquid N2 delivery system
Computer:
Recipe editing
Source / Substrate temperature control
RGA
Vacuum
Base pressure: Main chamber
Sources:
Plasma: 600 W
HT source: Al, Ga. Er, Si, Eu
Dopant source: Eu, Mg.
分子束外延（MBE）是一種用於在基材上生長高質量材料薄層的技術。RIBER 32是一種MBE設備，用於生產薄的、高質量的半導體材料層，如III-V和II-VI化合物。32配備了熱源和原子源材料，能夠在從房間到超高真空的溫度範圍內生長層。RIBER 32由一個半閉合的超高真空（UHV）室組成，其中包含一個電子束蒸發器、一個filet加熱器和幾個電子顯微鏡。蒸發器用於蒸發固體源的材料，如固態源，而菲力加熱器則用於將源材料加熱到所需溫度。電子顯微鏡是用來觀察和分析層，因為他們成長。該系統設計為提供極高的真空水平（通常介於10-6和10-8 torr之間）、極其清潔的環境以及精確的溫度控制和高度均勻的薄膜層。特高壓室裝有現場診斷系統（ESCA和XRD）和電容壓力計，用於精確監測設備參數。32可以長出許多半導體材料的高品質薄膜，包括氮化物、氧化物、氮化物/氧化物和其他復雜合金。機器可以在室溫到超高真空（UHV）的任何溫度下操作。它能夠提供高均勻度的薄膜厚度在整個生長區域和高均勻性能的沈積膜。此外，RIBER 32配備了原子束工具（ABS），使原子光滑表面的生長成為發光OLED和光波導等應用的理想選擇。ABS捕獲目標材料的分子，並將光束聚焦在基板上，以主動控制汙染物的存在和生長條件。32的頂級性能和高可靠性使其成為許多半導體材料薄膜層生長的理想選擇。它還提供了低成本和提高的生產率，使其成為現代電子產品薄膜研究和制造的關鍵工具。
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