二手 RIBER EVA 32 #9197264 待售
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ID: 9197264
晶圓大小: 2"
MBE System, 2"
Group IV MBE
Grow germanium and silicon
Semiconductor thin films (SiGe)
B & Sb as P- & n- type dopant
RHEED System with power supply and control
Residual gas analyzer & control (RGA / Mass spectrometer)
XYZ Precision sample stage / Manipulator
Sentinel flux motoring system with power supply and control
Load-lock chamber
(2) 40 CC E-guns (Ge & Si)
(3) Effusion cells with controls
Sb
Boric acid
Ge
Residual gas analyzer (Quadruple mass spec)
RHEED
Electronics control
Manipulator wafers, 2"
Load lock chamber
Ion pump plus cryopump.
RIBER EVA 32是一種先進的分子束外延(MBE)系統,用於將包括III-V、II-VI在內的優質無機材料和氧化物外延生長到底物上。它能夠對材料的生長結構進行原子和表面控制。EVA 32配備了多個、獨立、最先進的腔室,旨在為各種異質結構和納米結構的外延生長提供最大自由度。該系統是由幾個超高真空模塊組成的陣列,每個模塊都裝有高精度、低溫電阻加熱器。個別模塊包括主源腔、兩個積液池、兩個紫外線光源和獨立的溫度控制器。在這些模塊中的每一個中,可以控制不同的生長參數,以允許納米結構的精確生長。主源室是包含生長表面和源材料的主室。基板支架與源室熱耦合,由高精度、低溫電阻加熱器加熱。主源腔設有傳感器,用於測量溫度、壓力、成分、生長速率等各種參數。兩個積液池安裝在主源室,用於物料蒸發。細胞垂直於生長表面定位,能夠覆蓋整個表面。在MBE生長的情況下,積液細胞含有用作外延過程的原料。兩個紫外線光源安裝在主光源腔內,垂直於生長表面,傾斜角度可調。這些光源可以提供廣泛的能量強度,以操縱生長條件。溫度控制器用於調節主源室內部基板和材料的生長溫度。這些控制器是電阻加熱器,可設置在300至800攝氏度的溫度下。加熱器經過微調,以實現精確的溫度控制,並提供所需的生長條件。RIBER EVA 32是一個專用的MBE系統,可以幫助執行異質結構和納米結構的高度控制制造。其多模塊和參數的精確控制為優質材料的生產提供了極致的靈活性。
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