二手 VARIAN / INTEVAC GEN II #9168496 待售
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ID: 9168496
晶圓大小: 3"
Molecular beam epitaxy (MBE) system, 3"
Si, Ge, Ga, C (gas source)
Growth of Si-compatible materials for optoelectronics
(8) 4.5" Source ports.
VARIAN/INTEVAC GEN II分子束外延(MBE)設備是一種功能強大、用途廣泛、性能精確的薄膜沈積工具。它旨在為先進的設備應用生成獨特的納米級結晶結構。VARIAN GEN II MBE系統利用分子束技術,為各種材料,包括傳統和外來化合物的生長提供了廣泛的氣源和束能量。INTEVAC GEN II MBE設計最多可容納六個源,其中四個是直流磁控管濺射源。每個磁控管源都可以裝載金屬、絕緣體、半導體化合物等多種材料。此外,該機組還有兩個適合更具異國情調的材料的束式源,如磷化第。每個源也可以在50至150 eV的廣義能量範圍內操作,以實現對沈積速率和材料質量的最佳控制。GEN II MBE機具有快速靈活的基板運輸工具,可容納多達十二個直徑2英寸的基板。此外,該資產最多可容納四個直徑3英寸的基板,用於大面積沈積應用。VARIAN/INTEVAC GEN II MBE旨在提供高精度的增長控制以及先進的用戶界面。該模型可以精確控制沈積速率和層厚,以及沈積層的組成和質地。除了MBE功能外,VARIAN GEN II MBE還包括一個最先進的在線表征套件。該套件可通過多種技術進行薄膜分析和評估,包括X射線衍射(XRD)、原子力顯微鏡(AFM)和掃描電子顯微鏡(SEM)以及電氣特性測量。INTEVAC GEN II MBE設備為制造具有納米級精度的先進設備和結構提供了強大的工具,並具有先進的表征能力。這些特性的結合使得GEN II MBE系統適合於多種研究和商業應用,尤其是那些涉及到纖維層的。
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