二手 VARIAN / VEECO GEN 200 #9093517 待售
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已售出
ID: 9093517
晶圓大小: 2" - 4"
MBE growth system, 2" - 4"
Cluster tool
Growth chamber
Loadlock
Prep / degas module
Storage module
Advanced cryo panel (~50% reduced liquid nitrogen consumption)
Spare cryo panel
Solid State Sources Layout:
(3) Gallium SUMO
(3) Aluminum (2 SUMO + 1 Conical)
(1) Nitrogen plasma source with turbo pump
(1) Arsenic valved cracker, MARK V
(1) Phosphorus valved cracker
(1) Indium SUMO
(1) Silicon
+ CBr 4-gas line
Growth chamber:
UHV ultra high vacuum chamber
Accepts up to 4x4”, 7x3”, 13x2” substrates
Advanced cryo panel (~50% reduced liquid nitrogen consumption)
Water cooled split-panel (ports area)
Pyrometer
Flux meter
RHEED 30kV
Quadruple mass spectrometer
Growth Chamber Pump System:
Ion pump (800 l/s)
Turbo Pump (830l/s)
Cryo Pump CT-10
Scroll-Pump
Titanium sublimation pump
Cluster Tool:
Cryo Pump
Quadruple mass spectrometer
Loadlock:
(8) Platens
Cryo Pump
Lamp Heating up to 120°C
Platens: 7 x 3", 14 x 2"
Does not require LN2 phase separator
Documentation available
Gas delivery line: Port 7
Gas dopant: CBr4
Materials (MBE grade):
Aluminium
Gallium
Indium
Silicon
CBr4
Arsenic
Phosphorous
Nitrogen
Substrates: GaAs.
VARIAN/VEECO GEN 200是用於制造半導體器件結構的分子束外延（MBE）設備。它是一個模塊化、多區、低溫系統，為高控制外延膜的精確沈積提供了大氣控制的超高真空環境。該單元操縱並將熱蒸發前體和摻雜劑源的原子束或分子束輸送到基材晶片，根據沈積材料可以加熱或冷卻。這樣就能夠將材料高質量地沈積到原子或分子水平，而且雜質的意外摻入非常低。VEECO GEN 200機的主要部件是提供超高真空的分子束外延室，以及化學源和積液日。真空室利用兩個獨立的腔室；一個用於晶圓處理，一個用於晶圓沈積。源和積液日含有用於三元沈積、四元沈積和五元沈積的熱源，並配有用於精確和精確沈積控制的百葉窗。每個源的多層旋轉快門工具可確保所需的沈積條件。集成的電子加熱器資產以及自動晶圓冷卻模型可根據所沈積的材料對基板進行加熱或冷卻。VARIAN GEN 200設備具有強大的自動化軟件,具有用於晶圓處理的手動/自動操作模式。它提供對每個MBE進程的精確控制,包括參數設置、記錄和日誌記錄。軟件工程允許個性化的配方、更高效的處理和更好的數據分析。它還可以與外部控制器連接,以實現晶片加載、熱源、冷卻、快門控制以及自動反饋和控制沈積速率等附加功能。GEN 200系統提供可靠、準確的沈積和設備制造過程。其超高真空氣氛可確保外延膜的高度受控沈積，並能精確控制溫度、最大沈積速率、沈積材料的均勻性和輪廓，以及雜質的最低無意摻入。該單元簡化了分子束外延過程，使其成為最高效可靠的器件制造系統之一。
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