二手 VARIAN / VEECO GEN II #9243569 待售
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ID: 9243569
MBE System
Reactor: Horizontal
Single RHEED gun
Wafer transfer: Manual
Load lock
Monitoring equipment:
Ion gauges
Molly control unit
Gases: GaAs, InGaAs, AlGaAs
Dopants: Si, Be
Vacuum:
LL Cryo pump
LL Ion gauge
LL Degas station
BC IGP
BC Ion gauge
BC Substrate heater
GC IGP
GC Ion gauge
Gate valve Cryo - GC
Gate valve GC - BC
Gate valve BC - LL
Gate valve LL - Cryo2
Transfer rods
Sources:
(7) Shutters (With shutter motor rack)
Beam flux monitor
Electronic rack:
Ion gauge controller GC/BF
Ion gauge controller BC/LL
Controls:
Desktop computer
Communication unit
Removed parts:
All cells crackers
RHEED
RGA
Al / Ga / In / Si / Be Effusion cell
Electronic control units
EUROTHERM Control / Power supply units
CAR
Manipulator.
VARIAN/VEECO GEN II是一種分子束外延（MBE）設備，用於在基材上生產半導體材料的高品質、單層或多層晶膜。它采用超高真空（UHV）室，由三個積液池、一個電子束蒸發器、一個氣體註入系統、一個基板濺射槍、一個束成形單元、一個石英晶體監控器和一個負載鎖等組件組成。積液細胞用於將底物提升到所需生長溫度，並在生長過程中將其保持在恒定溫度。電子束蒸發器用於蒸發原料並將其輸送到基板上所需的區域。氣體註入機用於將氣體註入室內，影響材料的生長特性。基板濺射槍用於生長前清潔基板，也用於在基板上沈積一層薄薄的材料。梁成形工具用於控制梁的輪廓。石英晶體監測器用於測量沈積晶體膜的厚度。負載鎖用於在保持特高壓完好無損的同時將晶片送入和送出腔室。VEECO GEN II MBE資產能夠在受控環境下生產高品質、單層或多層晶體膜，並能維持低至5 x 10-10 mbar的壓力。該模型還配備了人性化軟件，可以方便操作，精確控制基板溫度、氣流、梁參數等生長參數。該軟件允許自動化增長程序，以最大限度地提高流程效率和準確性。總體而言，VARIAN GEN II MBE系統是生產用於各種電子和光電應用的高質量、單層或多層晶體薄膜的絕佳選擇。其先進的控制機制和精確的生長參數確保了精確和一致的結果。憑借其用戶友好的軟件和自動化的增長計劃功能,它易於使用並高效地創建所需的結果。
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