二手 VEECO GEN 2000 #9281809 待售

製造商
VEECO
模型
GEN 2000
ID: 9281809
MBE System Process: GaAs Chamber: AlGaIn AsSb, Be, Si, CBr4, plasma source RHEED K-Space cameras.
VEECO GEN 2000是一種分子束外延(MBE)設備,主要用於生長半導體材料的薄膜。該系統由幾個組件組成,如腔室、沈積源、快門、電源、真空泵和計算機控制器。腔室采用不銹鋼材料制成,真空壓力在10-5至10-7 Torr之間,工作壓力為10-8至5x10-10 Torr。其設計是為了保證高質量的薄膜和均質層沈積。該裝置帶有三種沈積源,即熱蒸發、電子束蒸發和分子束外延。熱蒸發是最簡單的沈積形式,它涉及加熱一種金屬材料,隨後導致原子釋放,在基板上形成薄層。另一方面,電子束蒸發利用電子束使分子材料解離,誘導原子的釋放,這些原子最終沈積在優選的表面上。電子束蒸發的主要優點是能夠達到更高的溫度。最後,分子束外延被認為是最先進的沈積技術之一。在這種技術中,原子的釋放是通過用能量通量激活分子束來誘導的。這是三者中最精確、最均勻的沈積方法,是獲得半導體器件制造所需的優質薄層的理想選擇。GEN 2000還包括可用於控制沈積速率的快門和用於控制沈積源的自動電源。快門可以用螺線管打開和關閉,以調節沈積在基板上的材料量。此外,該電源可用於調節沈積源的能級,以優化層沈積速率。VEECO GEN 2000還包括一個計算機控制器,可用於控制機器中的每一個組件。控制器配有輸入沈積源、層厚、基板溫度和壓力等用戶參數的界面。此外,控制器還會監控工具上的每個過程,以確保在沈積過程中達到最高質量。總之,GEN 2000是一種先進的分子束外延資產,它提供了可靠、高質量和均勻的層沈積。利用其三種不同的沈積源,該模型可輕松生成各種半導體器件制造薄層。此外,用戶友好型計算機控制器確保所有流程都受到控制,並達到最高質量。
還沒有評論