二手 VEECO Gen II #9207238 待售
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ID: 9207238
晶圓大小: 3"
MBE System, 3"
For III / V growth
Sources: Flange, 4.5"
(8) Sources:
(2) Ga
(2) In
Al
Si
Be
Valved as cracker
RHEED / QMS
(2) Ion pumps
Growth chamber: 400 Liters
Prep chamber: 220 Liters
Cryo pump for growth chamber
Turbo pump and mechanical pump for load lock
Bake out panels
AMBER
Nitrogen / Oxygen RF plasma source
Power supplies
Temperature controller
Servo motor control
Sample manipulator with control system, 3"
Sample holders
Clean chamber
Crucible size: 30 to 60 cc
CTI8 Cryo pump
Turbo pump size: 140 Liter per second
Substrate heater: 1000°C
(3) Ion gauges
Pyrometer
PC
(5) Sample holders.
VARIAN/VEECO GEN II是為半導體材料科學領域的先進研發而設計的分子束外延（MBE）設備的一種精密形式。這臺機器提供了從單個原子到復雜分子的納米級材料層生長的精確控制。該系統能夠以最大的均勻性和可控性執行多原子逐層生長過程。該單元的核心是MBE單元，它被分成兩個獨立的腔室。第一室是樣品持有者，或基板持有者，其設計是為了安全地容納各種各樣的基本基板類型，包括晶圓，基板，外延層和其他材料。然後將樣品支架加熱到所需溫度，並用熱電偶進行監測。在MBE電池內部,基板位於超高真空室中,由幾個旋鈕和開關管理,這些旋鈕和開關用於調節壓力、溫度和流量等參數。第二室包含若幹氣體源，用於制造外延過程所需的各種材料。這些來源可以包括元素來源，如砷和磷，以及更復雜分子如硒化氫的分子來源。氣體然後被輸送到樣品儲存室，通常是通過一個積液加熱器，在那裏它們暴露在基板上，可以用來生成復合層。該機還包含幾個管理這些過程的MBE控制子系統，如熱和壓力控制系統、射頻掃描階段和自動調校（ATC）工具。ATC提供關於生長過程的全面反饋信息，並確保為每一層沈積建立適當的條件。總體而言，VEECO GEN II資產為半導體材料系統的先進研發提供了一個全面而精確的工具。該模型提供了對各種參數的優越控制，允許將復雜材料的生長控制到納米級水平。憑借這種設備的先進功能，研究人員能夠創造出可用於各種應用和研究領域的定制和精確的納米結構。
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