二手 VEECO Gen II #9234453 待售

VARIAN/VEECO GEN II分子束外延（MBE）設備是一種高性能的沈積系統，能夠在晶圓上創建高質量的外延材料層。VEECO GEN II能夠在III/V化合物半導體材料如磷化銨（InP）上製造半導體材料的薄層，如砷化氙（GaAs）。該單元采用高分辨率蒸發源和精確通量控制相結合的方式實現了這一目標，從而能夠沈積厚度小於1納米的外延層。VARIAN GEN II配備了兩個獨立的MBE電池，使得光電和其他半導體器件制造的不同層能夠同時沈積。每個MBE電池有三個物料來源，每個物料來源都是獨立配置的，以便將一種材料同時沈積到晶片或最多三種物料的組合中。這些源被獨立加熱至高達1000 °C的溫度，MBE電池允許精確控制這些物種的通量，直到形成所需的層。GEN II配備了射頻等離子體發生器和帶有外部天線的電子回旋共振等離子體源。這些血漿源有助於實現更好的霧化和更高的沈積速率。這有助於減少MBE層所需的沈積時間，節省制造時間並提高生產效率。VARIAN/VEECO GEN II還包括一個高度精確的過程監控機器。這一工具允許在生長過程中同時監測若幹物理和化學參數，確保整個過程保持精確的控制。這一資產使MBE過程得以準確進行，從而產生了高質量的外延層。VEECO GEN II配備了生長後清潔控制器，用於去除基板表面殘留物質。該模型還包括一個用於在長達3英寸的基板上進行生長前和生長後處理的加熱階段，以及用於監測和調節腔室壓力及其他工藝參數的閉環自動反饋控制。VARIAN GEN II MBE設備是一種先進的、高度精確的外延沈積系統，能夠可靠地生產高質量的外延層。該單元將高分辨率蒸發源的功率與精確的通量控制結合在一起，允許厚度降至一納米以下的層生長。GEN II還包括一個高度精確的過程監視和控制機器，允許高度精確地進行MBE過程。生長後的清潔控制器和加熱階段有效地完成了生長過程，有助於保持外延層生產的高產。