二手 VG SEMICON / OXFORD V80 #9226450 待售

ID: 9226450
晶圓大小: 3"
MBE System, 3" Ion pump Furnaces (2) Chambers: GaAs Work Arsenic cracker Phosphorous cracker Gallium Aluminum Indium & Silicon Bake-out panels & heaters 8-Port LN2 Piping Does not include vacuum barrier phase separator G Chamber: Materials: As, P, Be, In, In, Al, Ga, Si Ion pump Diffusion pump V Chamber: Materials: Si, As, Cr, Ga, Al, In, Ga, Be Ion pump Prep chamber: Vac-sorbs Ion pump RHEED Guns GaAs Substrates GaAs Wafers: 650°C (Max temperature) GaAs Growth temperature: 500°C - 650°C RHEED Gun power supply Sumo cell, 300 CC Bake out panels with heaters Spare parts Manuals.
VG SEMICON/OXFORD V80是一種分子束外延(MBE)設備,設計用於設備和電子元件的高質量、低溫研究級制備。MBE系統提供了廣泛的功能,使研究人員能夠充分利用其研究成果。它包括了使其與其他MBE系統脫穎而出的幾個特點,如先進的多級壓力控制單元、獨特的長距離大於單位網(GNET)觀景單元、陶瓷船爐以及全套高性能石英組件。OXFORD V80的獨特能力之一是其先進的多級壓力控制機。該工具能夠準確控制MBE室的壓力和溫度。它提供了對過程的高度控制。此外,資產的設計是為了穩定,確保整個沈積過程中所需的條件保持一致。VG SEMICON V80的另一個獨特特點是其獨特的長距離大於單位網(GNET)視圖單元。這個細胞使用先進的成像模型來監測腔內基板的生長。它還允許精確控制沈積速率和組成。電池具有大於1的光學視圖,可實現更好的分辨率而不會失真。V80還包括一個陶瓷船用爐。該爐能夠在高達1000°C的溫度下運行,並提供均勻的加熱和一致的性能。可用於MBE沈積前後熔化樣品,在整個腔室內提供均勻加熱。該爐還具有用於樣品回收的冷卻循環,使研究人員能夠快速重置MBE室進行另一次沈積。最後,VG SEMICON/OXFORD V80配備了全套高性能石英部件。這些部件被安裝在不銹鋼真空室中,並提供防止汙染的保護。這樣可確保產生幹凈、無汙染的樣品,並有助於限制因沈積而損壞樣品的任何風險。綜上所述,OXFORD V80是一種先進的高質量MBE設備,具有廣泛的特性和功能,使其成為希望獲得最高質量和最精確沈積結果的研究人員的理想選擇。VG SEMICON V80從其先進的多級壓力和溫度控制系統,到其獨特的遠距離大於一的凈視圖單元,再到其陶瓷船用爐和全套高性能石英部件,都覆蓋了所有的基座,以確保獲得最佳的效果和最大的效率。
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