二手分子束磊晶法待售 - 頁面 #2

分子束外延技術（MBE）是一種用途廣泛、精密的薄膜生長技術，用於材料科學和半導體技術領域。它允許沈積具有原子級控制成分和厚度的高質量外延層。MBE通常用於制造晶體管、二極管、激光和光伏電池等結構和設備。在MBE中，薄膜的生長是通過從單個積液細胞噴射到高真空室中加熱的底物上的元素或化合物的分子束來實現的。分子束由原子或分子在底物表面凝結，形成晶體層，晶格方向明確。MBE的主要優點在於能夠在特殊的控制下生長外延膜，從而能夠制造復雜的多層結構。生長過程可以通過監測和調節分子束和底物溫度的通量來精確控制。這樣可以精確控制特定設備應用所需的膜組成、厚度和摻雜水平。此外,MBE還提供了高真空環境造成的低汙染水平的優點。這使得高純度薄膜具有優異的電學和光學性能。生長過程中可用的原位監測和表征技術進一步加強了沈積膜的控制和質量。MBE技術隨著應變工程的發展、晶格匹配的增長以及新型材料的結合而不斷進步。它在先進半導體器件的開發中起著至關重要的作用，是從事材料科學和納米技術領域工作的研究人員和工程師必不可少的工具。