二手 SIDRABE WD 200EM #293795312 待售
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ID: 293795312
優質的: 2011
PVD Coater
High-intensity effusion source
Plasma magnetron source
Maximum run length: 300 to 400 mm
Voltage: 3‑phase, 400 V (+6% / −10%)
Frequency: 50 Hz (±2%)
Control circuits voltage: 220 V AC, 24 V DC
Hardness: < 5 °dH
Conductivity: < 10 µS/cm
pH level: 6 – 8
Filtration: < 75 µm
Temperature range: 15 – 20 °C
Pressure range: 2.5 – 3.0 bar
Installed power: 40 kW
Process pressure: 1×10⁻⁵ – 5×10⁻⁴ Torr
Process: Evaporation of lithium, optional magnetron sputtering of metal oxides
Process gases: Argon (Ar), Carbon dioxide (CO₂)
2011 vintage.
SIDRABE WD 200EM是一種光刻設備,在微電子工業中對於制造集成電路、印刷電路板和其他電子元件起著至關重要的作用。這種先進的光刻膠系統旨在通過提供高分辨率的圖樣處理能力和可靠的性能特性來促進復雜的光刻工藝。WD 200EM單元的核心是其光刻材料,它是光刻過程中的關鍵組成部分。光致抗蝕劑是光敏材料,當暴露在光下時會發生化學變化,因此非常適合將圖樣從光掩模轉移到基板上。在SIDRABE WD 200EM的情況下,光致抗蝕劑材料被配制成提供優於各種基材的附著力,出色的分辨率,以及廣泛的工藝緯度。WD 200EM光刻機的突出特點之一就是其高分辨率性能。該工具經過優化,以產生具有亞微米特征尺寸的精細圖樣,允許在半導體晶片和其他電子基板上創建復雜的設計。這種高分辨率是通過光刻過程中對光刻膠配方和曝光參數的精確控制來實現的。除了具有高分辨率功能外,SIDRABE WD 200EM資產還提供出色的過程穩定性和可靠性。在半導體工業中,一致性是必不可少的,在半導體工業中,即使工藝參數的微小變化也會導致缺陷和產量損失。WD 200EM模型設計為一批又一批地提供一致的結果,確保模式轉移的均勻性,降低過程偏差的風險。此外,SIDRABE WD 200EM設備與廣泛的曝光工具兼容,包括i-line、g-line和寬帶UV源。這種靈活性使半導體制造商能夠選擇最適合其特定應用的曝光系統,同時仍然受益於WD 200EM光敏材料的高性能。SIDRABE WD 200EM裝置的另一個顯著特點是其出色的附著性能。光致抗蝕劑材料與基板表面形成牢固的粘結,確保圖樣化特征在隨後的加工步驟(如蝕刻和沈積)中保持完整。這種粘附強度對於保持圖樣完整性和防止分層或特征失真至關重要。綜上所述,WD 200EM是一種先進的光刻機床,具有高分辨率、優異的工藝穩定性和卓越的附著性能,可用於制造先進的電子器件。SIDRABE WD 200EM具有先進的配方和性能特點,是尋求在生產過程中實現精確模式和可靠工藝控制的半導體制造商的首選。
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