二手 TEL / TOKYO ELECTRON ACT 8 #9284114 待售
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ID: 9284114
(2) Coater / (2) Developer system
Single block
Positive resist coater
(4) Load port stations IN/OUT
Type IV ACT Controller
(4) Uni Cassettes Stations (UNC)
(2) Chill Plate units (CPL)
(2) Adhesion units (ADH)
(9) Low Temperature Hot Plate units (LHP)
Transition unit (TRS)
Transition Chill Plate unit (TCP)
(3) INR-24-264A Circulating pumps
(3) INR-244-216C Circulating pump power supplies
(2) INR-244-217B CPL Power supply modules
INR-244-218F Controller
Coater unit:
(6) Resist nozzles
Unit / Nozzle / Pump / Tank type
2-1 COT / 1 / IWAKI HV-115-1, HV / LE Tank
2-1 COT / 2 / F-T100-3, RCC / LE Tank
2-1 COT / 3 / - / -
2-2 COT / 1 / IWAKI HV-115-1 HV / LE Tank
2-2 COT / 2 / F-T100-3 RCC / LE Tank
2-2 COT / 3 / - / -
Developer unit: Stream nozzle
2012 vintage.
TEL/TOKYO ELECTRON ACT 8是為先進光刻應用而設計的光刻設備。它是一種先進的掩模對準和高精度光刻設備，結合了掩模對準叠加和先進的光刻技術。該系統包括兩項尖端技術；遮罩對齊叠加（MAO）和光阻化學與優化（PCE）。遮罩對準叠加（MAO）是與電子束（EB）遮罩對準系統結合使用的關鍵技術,用於將光敏材料層精確對準晶片基板。該MAO對齊每一層用一個快速和簡單的過程，允許精確精確，即使是最緊密的公差組件。光刻層可以通過MAO單元進行微調，優化光刻材料的劑量測量，減少光刻過程中任何可能的過度曝光。光阻化學和優化（PCE）機提供對給定光刻工藝化學的精確控制，允許預先編程的配方和定制的光刻參數輸入到工具中。這可以方便地優化光刻膠層，並允許在EB遮罩對準之前添加特定光刻膠化合物的定制劑量。TEL ACT 8為半導體制造商和研究人員提供了廣泛的優勢。它允許優化單掩模對準晶片內的光刻膠層，以縮短曝光時間和提高精度。PCE資產可方便和精確地控制針對特定光致抗蝕劑化合物量身定制劑量的光致抗蝕劑化學。這將產生卓越的可重復性和吞吐量,並降低制造周期的成本。為了充分利用TOKYO ELECTRON ACT 8，需要了解它的好處和能力。該模型在EB掩模對準方面提供了更高的精度和精確度，其精密的MAO技術允許對光敏材料進行優化的劑量測量。其優化的配方和PCE設備使光刻膠化學易於控制，從而提高了可重復性和吞吐量，最終降低了長期成本。
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