二手 TEL / TOKYO ELECTRON Probus SiC #293667917 待售

TEL/TOKYO ELECTRON Probus SiC（碳化矽）反應器用於化學氣相沈積（CVD）的半導體過程中進行選擇性外延。該反應堆基於熱壁管式反應堆系統的成熟技術。熱壁管由高純度SiC（碳化矽）材料制成，檢測器位於管入口附近，以確保沈積層在所有半導體過程中的均勻性。管端裝有狹縫噴嘴，保證氣流均勻性和沈積膜均勻性。TEL Probus SiC反應堆裝有惰性氣體屏蔽設備，以減少汙染。反應堆管也有指定溫度剖面的加熱系統。這樣可以精確控制工藝條件以及薄膜的形成和性能。SiC材料配備了方便、內置的壓力控制單元和壓力表，以保證薄膜沈積和過程控制的精度。TOKYO ELECTRON Probus SiC反應器具有多種特性，以保證沈積膜的精度。采用膜均勻性監測儀設計，保證沈積膜厚度均勻。此外,還可以使用自動反饋工具來確保過程的溫度分布一致。加熱設備能夠準確控制沈積速率和薄膜的形成。此外，反應堆還裝有膜厚度計，用於監測沈積膜的厚度。Probus SiC反應器被設計為一種可靠、精確的工具，用於各種薄膜沈積過程的控制和分析。惰性氣體屏蔽模型可防止汙染，並允許更安全的過程控制。精確的溫度控制使過程得以準確監控，並實現薄膜均勻性。壓力控制能夠精確控制薄膜沈積速率和薄膜形成。而且，自動反饋設備允許不斷監測沈積過程的準確性。薄膜厚度和均勻性監測系統為薄膜分析和薄膜性能評價提供了準確的依據。